CuProtect工藝 - 美國(guó)專(zhuān)利8,945,343 B2-用施加的電壓解封裝。 引領(lǐng)行業(yè)的化學(xué)芯片開(kāi)封系統(tǒng)----JetEtch Pro
美國(guó) Nisene Technology Group 生產(chǎn)的 JetEtch 自動(dòng)開(kāi)封機(jī),可采用雙酸刻蝕,并利用負(fù)壓噴霧技術(shù)進(jìn)行刻蝕。根據(jù)不 同的器件封裝材料和尺寸,可設(shè)定不同的試驗(yàn)條件,進(jìn)行定位刻蝕。主要可設(shè)置的試驗(yàn)參數(shù)包括:采用刻蝕酸的種 類(lèi)、刻蝕酸的比例、蝕刻溫度、蝕刻時(shí)間、酸的流量(酸的用量)、清洗的時(shí)間等。同時(shí)采取漩渦噴酸的方式,可大 大降低用酸量,從而能夠比較精確地去除掉芯片表面的封裝材料,達(dá)到較好的開(kāi)封效果。根據(jù)器件的不同封裝形式, 可選取不同封裝開(kāi)口模具,可控制開(kāi)口的位置和大小,目前配有的開(kāi)口模具有多種,基本滿(mǎn)足目前的封裝需要,如 適用 DIP/SIP,PLCC,OFP,PBGA,芯片倒裝 BGA 和 S0 小外型封裝。 1. 檢查IC元件為何失效;
例子:
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詳細(xì)參數(shù): 尺寸 主機(jī)(mm/英寸) 290 高 x 290 寬 x 419 深 / 11.5 高 x 11.5 寬 x 16.5 深 瓶柜(mm/英寸) 230 高 x 110 寬 x 110 深 / 9 高 x 4.25 寬 x 4.25 深 重量 (KG/磅) 17 / 38 (包含瓶柜和附件) 電源 350 W @ 95 - 130 VAC or 350 W @ 210 - 250 VAC 壓縮空氣/氮?dú)庖?/strong> 壓縮空氣 4.2 kg/cm2 / 60 –100 psi 氮?dú)夤?yīng) 2.8公升/分鐘 / 0.1 立方英尺/分鐘 |
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可用的蝕刻液 蝕刻液流量:脈沖模式1、2、5或1-10mL/min;渦流模式1-6mL/min 煙硝酸 煙硫酸 硫酸(濃縮試劑) 硝酸:硫酸混合比例:6:1, 5:1, 4:1, 3:1 |
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溫度范圍 硝酸 20 – 90(°C) 硫酸 20 – 250(°C) 混合酸 20 – 100(°C) 蝕刻時(shí)間和方式 (用戶(hù)可選) 1–1800秒可調(diào),1秒的增量 脈沖蝕刻模式, 渦流蝕刻模式 程序容量: 100,用戶(hù)自定義 |
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升溫時(shí)間 (用戶(hù)可選) 0 – 120 秒可調(diào),1秒的增量 清洗 硫酸、硝酸,無(wú)須清洗 儲(chǔ)液器 500mL或1升瓶 33/38/40/45mm蓋的尺寸 4個(gè)瓶子: 2個(gè)裝酸, 2個(gè)裝廢液 證書(shū) CE證書(shū), SEMI S-2-93, SEMI S-2-2000
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